ALE 공정 (개세특)

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자료설명
수준 고3 화2
차세대 초미세 반도체 공정 ALE(+PEALE)

목차(차례)
기존의 RIE 공정 & 한계점
새로운 ALE 공정
ALE 공정의 한계점과 새로운 PEALE
느낀점 & 알게된점
본문/내용
기존의 RIE 공정

미래 기술로 주목받는 ALE에 대해서 알아보기 이전에, 현재 반도체 공정에서 많이 사용하는 식각 공정법을 먼저 살펴보자

아직까지 반도체 미세 공정에서 가장 많이 사용하는 식각 공정은 RIE 공정법이다.

그럼 RIE 공정법은 어떤 방식으로 식각을 진행할까 ?

RIE 공정방식

우선 아르곤(Ar) 등의 반응성 기체를 챔버에 주입 한 이후 빠른 주파수의 RF를 가하면 주파수의 속도를 따라가지 못한 양성자와 전자의 관계가 끊어지면서 플라즈마 이온이 만들어진다.

:

ALE 공정방식

1. 우선 염소(CI2)와 같은 반응성 가스를 약 650도(C)의 챔버로 공급한다.
2. 그러면 염소 분자가 실리콘(SiOx) 표면에 달라붙어 반응하기 시작하고, 염소와 반응한 실리콘 표면의 결합 에너지가 감소하게 된다.


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